Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8014(TE12L,Q,M)

номер части: TPC8014(TE12L,Q,M)
производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: TPC8014(TE12L,Q,M).pdf TPC8014(TE12L,Q,M) PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	TPC8014(TE12L,Q,M)
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	39nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1860pF @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 5.5A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOP (5.5x6.0)
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
TPC8012-H(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP	-	подробности
TPC8014(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B		подробности
TPC8018-H(TE12LQM)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B		подробности