| номер части | TPC8012-H(TE12L,Q) |
|---|---|
| Статус детали | Discontinued at Digi-Key |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 200V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 440pF @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 900mA, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Упаковка / чехол | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | - | 0 | подробности |
 |
TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | подробности | |
 |
TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B | 0 | подробности |
