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| 品番 | TPC8014(TE12L,Q,M) |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 39nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1860pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 14 mOhm @ 5.5A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP (5.5x6.0) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP | - | 0 | 詳細 |
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TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B | 0 | 詳細 | |
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TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B | 0 | 詳細 |