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Toshiba Semiconductor and Storage ~ TPC8014(TE12L,Q,M)

Número de pieza: TPC8014(TE12L,Q,M)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos: TPC8014(TE12L,Q,M).pdf TPC8014(TE12L,Q,M) PDF online browsing
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Número de pieza	TPC8014(TE12L,Q,M)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1860pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / caja	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	Ver
TPC8012-H(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP	-	Detalles
TPC8014(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B		Detalles
TPC8018-H(TE12LQM)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B		Detalles