FZ800R12KE3HOSA1

IGBT MODULE 1200V 800A
FZ800R12KE3HOSA1 P1
FZ800R12KE3HOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FZ800R12KE3HOSA1

номер части
FZ800R12KE3HOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 800A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FZ800R12KE3HOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FZ800R12KE3HOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 800A
Мощность - макс. 3550W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 800A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 56nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты