FZ800R12KE3HOSA1

IGBT MODULE 1200V 800A
FZ800R12KE3HOSA1 P1
FZ800R12KE3HOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FZ800R12KE3HOSA1

Numéro d'article
FZ800R12KE3HOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT MODULE 1200V 800A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- FZ800R12KE3HOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article FZ800R12KE3HOSA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800A
Puissance - Max 3550W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 800A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 56nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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