FZ800R12KE3HOSA1

IGBT MODULE 1200V 800A
FZ800R12KE3HOSA1 P1
FZ800R12KE3HOSA1 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ FZ800R12KE3HOSA1

品番
FZ800R12KE3HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IGBT MODULE 1200V 800A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FZ800R12KE3HOSA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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製品パラメータ

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品番 FZ800R12KE3HOSA1
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 800A
電力 - 最大 3550W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.15V @ 15V, 800A
電流 - コレクタ遮断(最大) 5mA
入力容量(Cies)@ Vce 56nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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