FZ800R12KE3HOSA1

IGBT MODULE 1200V 800A
FZ800R12KE3HOSA1 P1
FZ800R12KE3HOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ FZ800R12KE3HOSA1

Artikelnummer
FZ800R12KE3HOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT MODULE 1200V 800A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- FZ800R12KE3HOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer FZ800R12KE3HOSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800A
Leistung max 3550W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 800A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 56nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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