FZ800R12KS4B2NOSA1

MODULE IGBT A-IHM130-1
FZ800R12KS4B2NOSA1 P1
FZ800R12KS4B2NOSA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ FZ800R12KS4B2NOSA1

Artikelnummer
FZ800R12KS4B2NOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MODULE IGBT A-IHM130-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- FZ800R12KS4B2NOSA1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer FZ800R12KS4B2NOSA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1200A
Leistung max 7600W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 800A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 52nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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