FZ800R45KL3B5NOSA2

MODULE IGBT A-IHV130-4
FZ800R45KL3B5NOSA2 P1
FZ800R45KL3B5NOSA2 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ FZ800R45KL3B5NOSA2

Artikelnummer
FZ800R45KL3B5NOSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MODULE IGBT A-IHV130-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer FZ800R45KL3B5NOSA2
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 4500V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1600A
Leistung max 9000W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 800A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -50°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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