MS652S

TRANS RF BIPO 25W 2A M123
MS652S P1
MS652S P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ MS652S

Parça numarası
MS652S
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- MS652S PDF online browsing
Aile
Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası MS652S
Parça Durumu Active
Transistör Tipi NPN
Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) 16V
Frekans - Geçiş 450MHz ~ 512MHz
Gürültü Şekli (dB Typ @ f) -
Kazanç 10dB
Maksimum güç 25W
DC Akım Kazancı (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) 2A
Çalışma sıcaklığı 200°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum M123
Tedarikçi Aygıt Paketi M123

ilgili ürünler

Tüm ürünler