MS652S

TRANS RF BIPO 25W 2A M123
MS652S P1
MS652S P1
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Microsemi Corporation ~ MS652S

Numéro d'article
MS652S
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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Numéro d'article MS652S
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 16V
Fréquence - Transition 450MHz ~ 512MHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain 10dB
Puissance - Max 25W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Température de fonctionnement 200°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas M123
Package de périphérique fournisseur M123

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