MS652S

TRANS RF BIPO 25W 2A M123
MS652S P1
MS652S P1
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Microsemi Corporation ~ MS652S

Número de pieza
MS652S
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MS652S PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
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Parámetro del producto

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Número de pieza MS652S
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 16V
Frecuencia - Transición 450MHz ~ 512MHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) -
Ganancia 10dB
Potencia - Max 25W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Temperatura de funcionamiento 200°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja M123
Paquete de dispositivo del proveedor M123

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