MS652S

TRANS RF BIPO 25W 2A M123
MS652S P1
MS652S P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ MS652S

Artikelnummer
MS652S
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer MS652S
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 16V
Frequenz - Übergang 450MHz ~ 512MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen 10dB
Leistung max 25W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Betriebstemperatur 200°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall M123
Lieferantengerätepaket M123

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