| номер части | LL42-GS08 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 30V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 200mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 650mV @ 50mA |
| скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Время обратного восстановления (trr) | 5ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 500nA @ 25V |
| Емкость @ Vr, F | 7pF @ 1V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Пакет устройств поставщика | SOD-80 MiniMELF |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 125°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LL4001G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A MELF | - | 882607 | подробности |
|
LL4002G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A MELF | - | 882607 | подробности |
|
LL4003G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A MELF | - | 882607 | подробности |
|
LL4004G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A MELF | - | 1005191 | подробности |
|
LL4005G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A MELF | - | 1005191 | подробности |
|
LL4006G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A MELF | - | 861254 | подробности |
|
LL4007G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1000V 1A MELF | - | 980937 | подробности |
 |
LL41-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
LL41-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100MA SOD80 | - | 0 | подробности |
 |
LL4148 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80 | - | 550000 | подробности |
|
LL4148 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 75V 150MA MINIMELF | - | 4008531 | подробности |
|
LL4148 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 100V 150MA MINIMELF | - | 3638683 | подробности |
