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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | LL42-GS08 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 50mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 5ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 25V |
| Kapazität @ Vr, F | 7pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-80 MiniMELF |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 125°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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LL4001G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A MELF | - | 882607 | Einzelheiten |
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LL4002G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A MELF | - | 882607 | Einzelheiten |
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LL4003G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A MELF | - | 882607 | Einzelheiten |
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LL4004G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A MELF | - | 1005191 | Einzelheiten |
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LL4005G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A MELF | - | 1005191 | Einzelheiten |
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LL4006G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A MELF | - | 861254 | Einzelheiten |
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LL4007G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1000V 1A MELF | - | 980937 | Einzelheiten |
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LL41-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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LL41-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100MA SOD80 | - | 0 | Einzelheiten |
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LL4148 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80 | - | 550000 | Einzelheiten |
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LL4148 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 75V 150MA MINIMELF | - | 4008531 | Einzelheiten |
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LL4148 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 100V 150MA MINIMELF | - | 3638683 | Einzelheiten |