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| Número de pieza | LL42-GS08 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 200mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 650mV @ 50mA |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 5ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 25V |
| Capacitancia @ Vr, F | 7pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOD-80 MiniMELF |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 125°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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LL4001G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A MELF | - | 882607 | Detalles |
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LL4002G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A MELF | - | 882607 | Detalles |
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LL4003G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A MELF | - | 882607 | Detalles |
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LL4004G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A MELF | - | 1005191 | Detalles |
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LL4005G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A MELF | - | 1005191 | Detalles |
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LL4006G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A MELF | - | 861254 | Detalles |
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LL4007G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1000V 1A MELF | - | 980937 | Detalles |
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LL41-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100MA SOD80 | - | 0 | Detalles |
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LL41-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100MA SOD80 | - | 0 | Detalles |
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LL4148 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80 | - | 550000 | Detalles |
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LL4148 L0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 75V 150MA MINIMELF | - | 4008531 | Detalles |
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LL4148 L1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GP 100V 150MA MINIMELF | - | 3638683 | Detalles |