| номер части | APT70GR120JD60 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | NPT |
| конфигурация | Single |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 1200V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 112A |
| Мощность - макс. | 543W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 1.1mA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | No |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-227-4 |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | подробности |
 |
APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | подробности |
 |
APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | подробности |
 |
APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
|
APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
|
APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | подробности |
|
APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | подробности |
|
APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | подробности |
