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| 品番 | APT70GR120JD60 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 構成 | Single |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 112A |
| 電力 - 最大 | 543W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1.1mA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 7.26nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | No |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | 詳細 |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | 詳細 |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | 詳細 |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | 詳細 |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | 詳細 |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | 詳細 |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | 詳細 |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | 詳細 |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | 詳細 |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | 詳細 |