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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT70GR120JD60 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 112A |
| Leistung max | 543W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 70A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1.1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.26nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | Einzelheiten |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | Einzelheiten |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | Einzelheiten |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Einzelheiten |