NAND02GW3B2DN6E

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
NAND02GW3B2DN6E P1
NAND02GW3B2DN6E P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ NAND02GW3B2DN6E

номер части
NAND02GW3B2DN6E
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NAND02GW3B2DN6E PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NAND02GW3B2DN6E
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип памяти Non-Volatile
Формат памяти FLASH
Технологии FLASH - NAND
Размер памяти 2Gb (256M x 8)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница 25ns
Время доступа 25ns
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура -40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет устройств поставщика 48-TSOP

сопутствующие товары

Все продукты