Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

STMicroelectronics ~ NAND01GW4B2AN6E

номер части: NAND01GW4B2AN6E
производитель: STMicroelectronics
Описание: IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: NAND01GW4B2AN6E.pdf NAND01GW4B2AN6E PDF online browsing
семья: Память

номер части	NAND01GW4B2AN6E
Статус детали	Obsolete
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	1Gb (64M x 16)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	30ns
Время доступа	30ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Пакет устройств поставщика	48-TSOP

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA		подробности
NAND01GR3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA		подробности
NAND01GW3A0AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3A2AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3B2AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3B2AN6F	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3B2AZA6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 63VFBGA		подробности
NAND01GW3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA		подробности
NAND01GW3B2CN6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	-	подробности
NAND01GW4B2AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND02GAH0IZC5E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2GBIT 52MHZ 153LFBGA	-	подробности