Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ NAND01GR3B2BZA6E

номер части: NAND01GR3B2BZA6E
производитель: Micron Technology Inc.
Описание: IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: NAND01GR3B2BZA6E.pdf NAND01GR3B2BZA6E PDF online browsing
семья: Память

номер части	NAND01GR3B2BZA6E
Статус детали	Obsolete
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	1Gb (128M x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	30ns
Время доступа	30ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.7 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	63-TFBGA
Пакет устройств поставщика	63-VFBGA (9x11)

номер части	Производители	Описание	PDF	Посмотреть
NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA		подробности
NAND01GR3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA		подробности
NAND01GW3A0AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3A2AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3B2AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3B2AN6F	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3B2AZA6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 63VFBGA		подробности
NAND01GW3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA		подробности
NAND01GW3B2CN6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 48TSOP		подробности
NAND01GW3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	-	подробности
NAND01GW4B2AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP		подробности