Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ PTAB182002TCV2R250XTMA1

номер части: PTAB182002TCV2R250XTMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf PTAB182002TCV2R250XTMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

номер части	PTAB182002TCV2R250XTMA1
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	LDMOS
частота	1.805GHz ~ 1.88GHz
Усиление	14.8dB
Напряжение - испытание	28V
Текущий рейтинг	10µA
Коэффициент шума	-
Текущий - Тест	520mA
Выходная мощность	29W
Напряжение - Номинальное напряжение	65V
Упаковка / чехол	H-49248H-4
Пакет устройств поставщика	H-49248H-4

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
PTAB182002FC-V1-R0	Cree/Wolfspeed	IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4	-	708	подробности
PTAB182002FC-V1-R250	Cree/Wolfspeed	IC AMP RF LDMOS	-	708	подробности
PTAB182002FCV1R0XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4	-	0	подробности
PTAB182002FCV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	-	0	подробности
PTAB182002TCV2R250XTMA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4		0	подробности
PTAB182002TCV2R250XUMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	-	0	подробности
PTAB182002TCV2XWSA1	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4	-	0	подробности