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Infineon Technologies ~ PTAB182002TCV2R250XTMA1

Numéro d'article: PTAB182002TCV2R250XTMA1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique: PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf PTAB182002TCV2R250XTMA1 PDF online browsing
Famille: Transistors - FET, MOSFET - RF

Numéro d'article	PTAB182002TCV2R250XTMA1
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain	14.8dB
Tension - Test	28V
Note actuelle	10µA
Figure de bruit	-
Actuel - Test	520mA
Puissance - Sortie	29W
Tension - Rated	65V
Paquet / cas	H-49248H-4
Package de périphérique fournisseur	H-49248H-4

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
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