PTAB182002TCV2R250XTMA1

IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
PTAB182002TCV2R250XTMA1 P1
PTAB182002TCV2R250XTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ PTAB182002TCV2R250XTMA1

品番
PTAB182002TCV2R250XTMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
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製品パラメータ

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品番 PTAB182002TCV2R250XTMA1
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 1.805GHz ~ 1.88GHz
利得 14.8dB
電圧 - テスト 28V
電流定格 10µA
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 520mA
電力出力 29W
電圧 - 定格 65V
パッケージ/ケース H-49248H-4
サプライヤデバイスパッケージ H-49248H-4

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