FD1200R17KE3KNOSA1

MODULE IGBT IHM130-2
FD1200R17KE3KNOSA1 P1
FD1200R17KE3KNOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FD1200R17KE3KNOSA1

номер части
FD1200R17KE3KNOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MODULE IGBT IHM130-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FD1200R17KE3KNOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FD1200R17KE3KNOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Dual Brake Chopper
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 1600A
Мощность - макс. 5950W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты