FD1200R17KE3KNOSA1

MODULE IGBT IHM130-2
FD1200R17KE3KNOSA1 P1
FD1200R17KE3KNOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FD1200R17KE3KNOSA1

Numero di parte
FD1200R17KE3KNOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MODULE IGBT IHM130-2
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte FD1200R17KE3KNOSA1
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Configurazione Dual Brake Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1600A
Potenza - Max 5950W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1200A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 110nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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