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BOM

FD1200R17KE3KNOSA1

MODULE IGBT IHM130-2
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › FD1200R17KE3KNOSA1
FD1200R17KE3KNOSA1 P1
FD1200R17KE3KNOSA1 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Infineon Technologies ~ FD1200R17KE3KNOSA1

品番
FD1200R17KE3KNOSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MODULE IGBT IHM130-2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- FD1200R17KE3KNOSA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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製品パラメータ

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品番 FD1200R17KE3KNOSA1
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ -
構成 Dual Brake Chopper
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1700V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 1600A
電力 - 最大 5950W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.45V @ 15V, 1200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 110nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 125°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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