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| Numero di parte | GA200-001PD |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di pressione | Differential |
| Pressione di esercizio | 1 PSI (6.89 kPa) |
| Tipo di uscita | Analog Voltage |
| Produzione | 0.25 V ~ 4 V |
| Precisione | ±1.5% |
| Tensione - Fornitura | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Dimensione della porta | Male - 0.13" (3.23mm) Tube, Dual |
| Stile della porta | Barbed |
| Caratteristiche | Amplified Output, Temperature Compensated |
| Stile di terminazione | PCB |
| Pressione massima | 10 PSI (68.95 kPa) |
| temperatura di esercizio | -25°C ~ 80°C |
| Pacchetto / caso | 3-SIP Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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GA200-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB | 0 | Dettagli | |
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GA200-005WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP | 0 | Dettagli | |
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GA200-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | Dettagli | |
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GA200-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | Dettagli | |
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GA200SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT STD 600V 100A SOT227 | 0 | Dettagli | |
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GA200SA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 | 0 | Dettagli | |
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GA201AE3 | Microsemi Corporation | SCR | - | 1337 | Dettagli |
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 20A | 0 | Dettagli | |
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A | 263 | Dettagli | |
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | 0 | Dettagli | |
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV | 90 | Dettagli |