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| 부품 번호 | GA200-001PD |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 압력 유형 | Differential |
| 작동 압력 | 1 PSI (6.89 kPa) |
| 출력 유형 | Analog Voltage |
| 산출 | 0.25 V ~ 4 V |
| 정확성 | ±1.5% |
| 전압 - 공급 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 항구 크기 | Male - 0.13" (3.23mm) Tube, Dual |
| 항만 스타일 | Barbed |
| 풍모 | Amplified Output, Temperature Compensated |
| 종단 스타일 | PCB |
| 최대 압력 | 10 PSI (68.95 kPa) |
| 작동 온도 | -25°C ~ 80°C |
| 패키지 / 케이스 | 3-SIP Module |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
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GA200-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB | 0 | 세부 | |
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GA200-005WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP | 0 | 세부 | |
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GA200-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | 세부 | |
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GA200-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | 세부 | |
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GA200SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT STD 600V 100A SOT227 | 0 | 세부 | |
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GA200SA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 | 0 | 세부 | |
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GA201AE3 | Microsemi Corporation | SCR | - | 1337 | 세부 |
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 20A | 0 | 세부 | |
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A | 263 | 세부 | |
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | 0 | 세부 | |
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV | 90 | 세부 |