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| Numero di parte | GA200SA60S |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
| Potenza - Max | 630W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.3V @ 15V, 100A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 16.25nF @ 30V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GA200-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.250-4.5V PCB | 0 | Dettagli | |
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GA200-005WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 5" H2O 3SIP | 0 | Dettagli | |
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GA200-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | Dettagli | |
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GA200-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | Dettagli | |
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GA200SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT STD 600V 100A SOT227 | 0 | Dettagli | |
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GA200SA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT UFAST 600V 100A SOT227 | 0 | Dettagli | |
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GA201AE3 | Microsemi Corporation | SCR | - | 1337 | Dettagli |
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GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1.2KV 20A | 0 | Dettagli | |
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GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A | 263 | Dettagli | |
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GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A TO247 | 0 | Dettagli | |
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GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor | SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV | 90 | Dettagli |