BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET
BS2100F-E2 P1
BS2100F-E2 P2
BS2100F-E2 P1
BS2100F-E2 P2
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Rohm Semiconductor ~ BS2100F-E2

Numéro d'article
BS2100F-E2
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
IC DVR IGBT/MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
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Numéro d'article BS2100F-E2
État de la pièce Not For New Designs
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10 V ~ 18 V
Tension logique - VIL, VIH 1V, 2.6V
Courant - sortie de crête (source, évier) 60mA, 130mA
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 600V
Rise / Fall Time (Typ) 200ns, 100ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP

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