BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET
BS2100F-E2 P1
BS2100F-E2 P2
BS2100F-E2 P1
BS2100F-E2 P2
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Rohm Semiconductor ~ BS2100F-E2

Número de pieza
BS2100F-E2
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
IC DVR IGBT/MOSFET
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- BS2100F-E2 PDF online browsing
Familia
PMIC - controladores de compuerta
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Número de pieza BS2100F-E2
Estado de la pieza Not For New Designs
Configuración Impulsada Half-Bridge
Tipo de canal Independent
Cantidad de controladores 2
Tipo de puerta N-Channel MOSFET
Suministro de voltaje 10 V ~ 18 V
Voltaje lógico - VIL, VIH 1V, 2.6V
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) 60mA, 130mA
Tipo de entrada Non-Inverting
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) 600V
Tiempo de subida / bajada (Tipo) 200ns, 100ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP

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