BS2100F-E2

IC DVR IGBT/MOSFET
BS2100F-E2 P1
BS2100F-E2 P2
BS2100F-E2 P1
BS2100F-E2 P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Rohm Semiconductor ~ BS2100F-E2

Artikelnummer
BS2100F-E2
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
IC DVR IGBT/MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
PMIC - Gate-Treiber
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Artikelnummer BS2100F-E2
Teilstatus Not For New Designs
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge
Kanaltyp Independent
Anzahl der Treiber 2
Tortyp N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 10 V ~ 18 V
Logikspannung - VIL, VIH 1V, 2.6V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 60mA, 130mA
Eingabetyp Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) 600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 200ns, 100ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP

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