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| Numéro d'article | BS2103F-E2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration pilotée | Half-Bridge |
| Type de canal | Independent |
| Nombre de pilotes | 2 |
| Type de porte | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tension - Alimentation | 10 V ~ 18 V |
| Tension logique - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | 60mA, 130mA |
| Type d'entrée | Non-Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | 600V |
| Rise / Fall Time (Typ) | 200ns, 100ns |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-SOP |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BS2100F-E2 | Rohm Semiconductor | IC DVR IGBT/MOSFET | - | 0 | Détails |
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