Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SIR696DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 125V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 1410pF @ 75V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 104W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PowerPAK® SO-8 |
| Gói / Trường hợp | PowerPAK® SO-8 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR690DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SIR690DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8 | - | 80309 | Chi tiết |
 |
SIR692DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SIR696DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 125V 60A SO8 | - | 0 | Chi tiết |
 |
SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8 | - | 0 | Chi tiết |