Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIR696DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 125V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 7.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1410pF @ 75V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 104W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR690DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SIR690DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8 | - | 80309 | Einzelheiten |
 |
SIR692DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SIR696DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 125V 60A SO8 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |