Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT37M100L |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 1000V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 37A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 9835pF @ 25V |
| Vgs (Tối đa) | ±30V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 1135W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 18A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-264 |
| Gói / Trường hợp | TO-264-3, TO-264AA |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | 0 | Chi tiết | |
 |
APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | - | 31 | Chi tiết |
 |
APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | - | 564 | Chi tiết |
 |
APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | - | 17 | Chi tiết |
 |
APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | - | 2903 | Chi tiết |
 |
APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 125 | Chi tiết |
 |
APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | - | 77 | Chi tiết |
 |
APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | - | 3 | Chi tiết |
 |
APT30D30BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 30A TO247 | - | 111 | Chi tiết |
 |
APT30D40BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247 | - | 4 | Chi tiết |