APT37M100L

MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
APT37M100L P1
APT37M100L P2
APT37M100L P1
APT37M100L P2
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Microsemi Corporation ~ APT37M100L

Artikelnummer
APT37M100L
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer APT37M100L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 305nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9835pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1135W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 18A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA

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