Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT11GP60BDQBG |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Loại IGBT | PT |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41A |
| Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| Sức mạnh tối đa | 187W |
| Chuyển đổi năng lượng | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| Kiểu đầu vào | Standard |
| Phụ trách cổng | 40nC |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C | 7ns/29ns |
| Điều kiện kiểm tra | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-247-3 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-247-3 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT11F80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 0 | Chi tiết | |
 |
APT11GF120KRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | 0 | Chi tiết | |
 |
APT11GP60BDQBG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 41A 187W TO247 | - | 23778 | Chi tiết |
 |
APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | - | 91 | Chi tiết |
 |
APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | - | 0 | Chi tiết |