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| Número de pieza | APT11GP60BDQBG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 11A |
| Potencia - Max | 187W |
| Conmutación de energía | 46µJ (on), 90µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 40nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 7ns/29ns |
| Condición de prueba | 400V, 11A, 5 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT11F80B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | - | 0 | Detalles |
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APT11F80S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | - | 0 | Detalles |
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APT11GF120BRDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | 0 | Detalles | |
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APT11GF120KRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | 0 | Detalles | |
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APT11GP60BDQBG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 41A 187W TO247 | - | 23778 | Detalles |
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APT11N80BC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | - | 91 | Detalles |
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APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | - | 0 | Detalles |