FDB3860

MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
FDB3860 P1
FDB3860 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB3860

Một phần số
FDB3860
nhà chế tạo
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- FDB3860 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FDB3860
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 100V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 6.4A (Ta), 30A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 50V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 5.9A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp D²PAK (TO-263AB)
Gói / Trường hợp TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm