FDB3860

MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
FDB3860 P1
FDB3860 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB3860

Numero di parte
FDB3860
fabbricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FDB3860
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.4A (Ta), 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 5.9A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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