| номер части | BZD27C9V1PHRQG |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Напряжение - Zener (Nom) (Vz) | 9.05V |
| Толерантность | ±6.07% |
| Мощность - макс. | 1W |
| Импеданс (макс.) (Zzt) | 4 Ohms |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 10µA @ 5V |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.2V @ 200mA |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-219AB |
| Пакет устройств поставщика | Sub SMA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZD27B100P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B100P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B100P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B100P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B100P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B100P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B10P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B10P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B10P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 627239 | подробности |
 |
BZD27B10P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B10P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
 |
BZD27B10P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | подробности |
