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| Numéro d'article | BZD27C9V1PHRQG |
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| État de la pièce | Not For New Designs |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.05V |
| Tolérance | ±6.07% |
| Puissance - Max | 1W |
| Impédance (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 5V |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 200mA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-219AB |
| Package de périphérique fournisseur | Sub SMA |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BZD27B100P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B100P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B100P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B100P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B100P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B100P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 100V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B10P-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B10P-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B10P-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 627239 | Détails |
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BZD27B10P-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B10P-M3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |
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BZD27B10P-M3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ZENER 10V 0.8W DO-219AB | - | 0 | Détails |