| номер части | IRF644B-FP001 |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 250V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 14A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±30V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 139W (Tc) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Упаковка / чехол | TO-220-3 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF640 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 | - | 0 | подробности |
 |
IRF640,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB | 0 | подробности | |
 |
IRF640FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP | - | 0 | подробности |
 |
IRF640L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IRF640LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | - | 0 | подробности |
 |
IRF640NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | 0 | подробности | |
 |
IRF640NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | 706 | подробности | |
 |
IRF640NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | 1159 | подробности | |
 |
IRF640NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 159 | подробности | |
 |
IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 8000 | подробности | |
 |
IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 0 | подробности | |
 |
IRF640PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | - | 6583 | подробности |
