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| Numero di parte | IRF644B-FP001 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 139W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRF640 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IRF640,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB | 0 | Dettagli | |
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IRF640FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP | - | 0 | Dettagli |
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IRF640L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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IRF640LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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IRF640NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | 0 | Dettagli | |
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IRF640NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | 706 | Dettagli | |
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IRF640NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | 1159 | Dettagli | |
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IRF640NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 159 | Dettagli | |
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IRF640NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 8000 | Dettagli | |
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IRF640NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF640PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | - | 6583 | Dettagli |