MHT1108NT1

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
MHT1108NT1 P1
MHT1108NT1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MHT1108NT1

номер части
MHT1108NT1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MHT1108NT1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MHT1108NT1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.45GHz
Усиление 18.6dB
Напряжение - испытание 32V
Текущий рейтинг 10µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 110mA
Выходная мощность 12.5W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол 16-VDFN Exposed Pad
Пакет устройств поставщика 16-DFN (4x6)

сопутствующие товары

Все продукты