MHT1006NT1

FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
MHT1006NT1 P1
MHT1006NT1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MHT1006NT1

номер части
MHT1006NT1
производитель
NXP USA Inc.
Описание
FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
MHT1006NT1.pdf MHT1006NT1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MHT1006NT1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.17GHz
Усиление 21.7dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 90mA
Выходная мощность 1.26W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол PLD-1.5W-2
Пакет устройств поставщика PLD-1.5W-2

сопутствующие товары

Все продукты